過電流保護是當電流超過預定的最大值時，使保護裝置動作的一種保護方法。當流經(jīng)被保護原件的電流超過預設值時，保護裝置啟動。

過流保護電路設計的幾種常見實現(xiàn)方式。

過電流保護元件(保險絲)

如上圖所示，保險絲的種類很多，可以根據(jù)應用來選擇。熔斷器是一種常見的過流保護器件，尤其是PTC自恢復熔斷器被廣泛應用于電路設計中。其外觀如下圖所示。

工作原理如下:過流時，PTC自恢復熔斷器快速反應，自身組織增大，形成過流保護。當電流恢復正常時，PTC自恢復保險絲會恢復到低阻狀態(tài)，不會影響電路。由于PTC自恢復保險絲可以自動復位，許多電路設計者在過流事件可能由用戶故障引起的情況下選擇PTC自恢復保險絲。PTC通常連接到以下結構電路，用于過流保護。

由分立元件構成的保護電路

電路1

原理分析:首先，左邊的CRTL負載是單片機輸出啟動負載的控制端。CRTL負載輸出高電平，Q2導通，負載輸入連接。在正常負載情況下，電路不會出現(xiàn)異常，但當負載突然變大時(如短路或負載接線錯誤)，保護電路就會發(fā)揮作用。讓我們分析一下過載保護的電路，即QRR4和R5。Q1是一種傳統(tǒng)的硅管，導通電壓降約為0.7V。在上圖中，可以在沒有任何負載的情況下計算Q1的基極電位:

VQ1b=(R3 R4)/(R3 R4 R5)*5≈0.314V

當負載接通時，R3上會產(chǎn)生一個電壓降，推動Q1的基極電位升高。我們默認當負載連接到0.7V時，晶體管Q1會動作，所以我們可以從理論上計算負載電路會關斷多大:

IB =(0.7-VQ1b)/R3 = 0.386v/10 = 0.0386 a = 36毫安

也就是說，理論上這個電路最多可以連接36mA的負載。負載超過36mA后，Q1的基極電位升高0.7V，超過三極管的理論導通電壓，導致Q1導通，從而拉低Q2的基極，導致Q2關斷，最終切斷后面的大負載，起到過流保護的作用。

器件選擇要注意:R3要注意它的精度和封裝，根據(jù)需要的功耗選擇合適的封裝，避免因為封裝小導致功耗大而導致器件過熱。Q2根據(jù)負荷要求有一定的余量。

注意:

這個電路在實際運行中存在一些問題?？梢栽谠u論區(qū)留言分享一下這個電路的問題。你可以看看這個模擬，看看問題出在哪里。

電路2

前段時間發(fā)了一篇文章。

硬件工程師必備的過壓保護電路

作者:南山掃地僧

有網(wǎng)友留言說這個電路可以轉(zhuǎn)化成過流保護電流。原理是這樣的:在電源輸入端串聯(lián)一個采樣電阻到PMOS的源極S，那么這個采樣電阻就會有一個電壓差，三極管的Be就接在這個電阻上。當電壓差大于Vbe時，Vgs為零，PMOS關斷，實現(xiàn)過流保護。

修改前的電路:

修改后的電路:

集成芯片過流保護電路

隨著電路集成度的不斷提高，越來越多的多功能模塊被集成到芯片中，過流保護芯片也越來越多的應用在電路設計中。

過流保護芯片有兩個主要原理:打嗝(恒流)和閂鎖。

HIC:一種以恒流存在，一般可恢復，故障排除后自動恢復；

Latch off:一個被鎖定，故障解除后無法恢復。一旦被保護，需要重啟(如復位VCC或其他使能引腳)；

下圖是一款限流芯片的內(nèi)部功能框圖，其主要工作原理如下:通過功能框圖我們可以看到，該芯片具有欠壓保護功能和使能引腳EN，內(nèi)部集成了電流檢測和熱保護功能。

啟用和欠壓保護功能:

當en引腳使能且輸入電壓高于UVLO mosfet時，芯片啟動，內(nèi)部功率mos晶體管開啟，呈現(xiàn)低阻抗狀態(tài)。當en引腳禁用或輸入電壓低于UVLO時，芯片關閉，內(nèi)部功率mos處于高阻態(tài)。

電流設置功能:

RST引腳可用于通過將電阻下拉至地來設置限流閾值。一般在不同的范圍內(nèi)，限流的準確度會略有不同。一般限流公式手冊都會給出或者以表格的形式列出。

過電流保護功能:

當輸出電流超過設定的閾值電流時，內(nèi)部功率mos管的導通電阻增大，輸出電壓VOUT增大，從而限制輸出電流繼續(xù)增大。此時芯片進入恒流狀態(tài)。如果負載繼續(xù)增加，輸出電壓VOUT會繼續(xù)降低，輸出電流也會降低，直到VOUT下降到接近0V，輸出電流最低。

過熱保護功能:

進入限流狀態(tài)后，由于VOUT下降，mos晶體管兩端的壓降增加，芯片內(nèi)部結溫上升。當超過過溫保護閾值時，mos管關斷，電流降至零，芯片溫度下降重復導通，以此類推。

目前上述的內(nèi)容應該能夠為大家解答出大家對于什么是過電流(運行中過電流)的疑惑了，所以如果大家還想要了解更多的知識內(nèi)容，也可以關注本站其他文章進行了解哦。

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