雖然市場(chǎng)上主流的SSD是TLC或者QLC，但是目前閃存廠商都在嘗試開發(fā)下一代閃存產(chǎn)品。

2019年，赤霞(原東芝存儲(chǔ))開始討論每存儲(chǔ)單元5位的PLC 3D NAND閃存技術(shù)。時(shí)隔三年后，該公司開始展示每存儲(chǔ)單元6位的HLC或每存儲(chǔ)單元8位的OLC 3D NAND閃存技術(shù)。

眾所周知，對(duì)于存儲(chǔ)單元中的每一個(gè)額外的數(shù)據(jù)比特，都需要維持更多不同的電壓電平。比如MLC或2LC需要維持4級(jí)，TLC或3LC需要8級(jí)，QLC需要16級(jí)，PLC需要32級(jí)，而赤霞做的HLC或6LC現(xiàn)在需要多達(dá)64級(jí)。

這是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。

首先廠商需要找到能維持這么多能級(jí)值的材料，然后實(shí)現(xiàn)能級(jí)區(qū)分，保證能級(jí)態(tài)不會(huì)互相干擾。溫度控制變得比以往任何時(shí)候都重要，因?yàn)槲粩?shù)越多，溫度越難控制。

赤霞的R&D工作人員將公司現(xiàn)有的3D NAND閃存顆粒倒入零下196攝氏度的液氮中冷卻，以消除重寫周期導(dǎo)致的器件退化。這種極低的溫度有助于降低對(duì)隧道膜的要求，降低電平電壓值和穩(wěn)定材料。。總之，這極大地改善了IC的物理特性和工藝。

經(jīng)過這樣的異常處理，赤霞的研發(fā)人員實(shí)現(xiàn)了100分鐘每個(gè)存儲(chǔ)單元6位數(shù)據(jù)的讀寫，耐久性達(dá)到了1000次循環(huán)。當(dāng)然，這離不開零下196攝氏度的幫助。估計(jì)如果在室溫下，耐久性會(huì)下降一個(gè)數(shù)量級(jí)到100次循環(huán)。

與QLC相比，HLC的存儲(chǔ)密度增加了50%，與PLC相比，僅增加了25%。HLC具有較高的商業(yè)實(shí)現(xiàn)價(jià)值。此外，俠義還認(rèn)為OLC或8LC在技術(shù)上是可能的。目前的主要問題是找到合適的材料、設(shè)計(jì)和主控，最終可能使6LC和8LC具有商業(yè)可行性。

但是如果這樣的努力失敗了，人類的閃存技術(shù)可能還停留在PLC或者5LC上，TLC目前還會(huì)存在很長一段時(shí)間。

目前上述的內(nèi)容應(yīng)該能夠?yàn)榇蠹医獯鸪龃蠹覍?duì)于液氮怎么制作(零下196℃的液氮)的疑惑了，所以如果大家還想要了解更多的知識(shí)內(nèi)容，也可以關(guān)注本站其他文章進(jìn)行了解哦。

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